泰国新闻网XTHAI.COM报道｜中国半导体巨头中芯国际传出技术突破新进展！据外媒最新报告披露，该公司预计将在2025年内完成5nm芯片工艺开发，较此前传闻的2024年上半年进度有所延后。值得关注的是，中芯国际将采用传统DUV光刻设备实现尖端制程，但技术突破背后暗藏隐忧——其晶圆报价恐比行业龙头台积电高出50%，且初期良率仅33%，凸显后发者追赶的艰难处境。
消息人士指出，尽管通过多重曝光技术让DUV设备突破7nm物理极限，但复杂工艺导致生产成本飙升。目前华为已锁定该技术用于昇腾910C芯片生产，但量产时间表仍不明朗。分析师认为，在美国技术封锁背景下，这项”曲线突围”的尝试或将改写全球半导体竞争格局，但成本与良率劣势恐成市场推广最大阻碍。
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